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中科院上海硅酸鹽所陳?。赫业?D打印陶瓷新方法 

2022-07-06 05:48
碳化硅(SiC)陶瓷由于其易氧化、難熔融、高吸光,是3D打印陶瓷中亟待攻克的難題。

近日,中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所副研究員陳健首次提出高溫熔融沉積結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備SiC陶瓷新方法,成功制備出力學(xué)性能接近于傳統(tǒng)方法制備反應(yīng)燒結(jié)的SiC陶瓷。相關(guān)研究成果發(fā)表在《Additive Manufacturing》,并申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專利2項(xiàng)。

陳健說:“我們做任何一件事都是越簡(jiǎn)單越好,特別是對(duì)于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化來說,3D打印目前主要做一些特制的零件比較合適,未來走向智能化和工業(yè)化,應(yīng)用化是關(guān)鍵?!?/div>
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目前,大多數(shù)3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量較低、硅含量較高、力學(xué)性能較低,普遍采用化學(xué)氣相沉積CVI(Chemical Vapor Infiltration)或者前驅(qū)體浸漬裂解PIP(Precursor Infiltration Pyrolysis)等后處理工藝提高材料固含量來實(shí)現(xiàn)陶瓷材料綜合性能的提升,這樣勢(shì)必降低3D打印SiC陶瓷工藝的優(yōu)越性。

根據(jù)已有科學(xué)研究,與金屬3D打印不同的是,陶瓷材料不能通過激光加熱陶瓷粉末直接打印,直接SLS(Selective laser Sintering)制件在燒結(jié)過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力難以避免產(chǎn)生裂紋,導(dǎo)致最終產(chǎn)品力學(xué)性能較差;SLA(Stereo lithography )是一種基于光敏陶瓷漿料光聚合的有效紫外光固化技術(shù),但是碳化硅的高吸光、高折射率,限制了漿料的固化厚度、固含量等參數(shù)。

即便如此,陳健向上??萍冀榻B,目前市場(chǎng)對(duì)大尺寸陶瓷的復(fù)雜結(jié)構(gòu)零部件的消費(fèi)需求比較強(qiáng)烈。在很多場(chǎng)景中需要各種復(fù)雜性的陶瓷材料零部件。如果采用傳統(tǒng)的減材制造方法,比較復(fù)雜、耗時(shí)長(zhǎng),并且需要一些輔助的模具設(shè)計(jì),那么整個(gè)制造周期就會(huì)更長(zhǎng)。

但昂貴的成本和較長(zhǎng)的交貨時(shí)間使得這些新技術(shù)難以用于原型制作和中小批量零件生產(chǎn)。陳健說:“現(xiàn)在用到激光打印設(shè)備都非常昂貴,一個(gè)激光器高達(dá)幾十萬。我們采用粘結(jié)劑塑性擠出工藝的設(shè)備相對(duì)比較便宜,可以大大降低產(chǎn)品制造成本?!?/div>
“SiC陶瓷比較硬和脆,導(dǎo)致它的加工非常困難”陳健介紹:“在加工制造過程中,刀具經(jīng)常用,但不是經(jīng)常使用的那種金剛石的刀具。因?yàn)樵诩庸さ倪^程中,SiC陶瓷會(huì)產(chǎn)生一些微裂紋等缺陷,這樣陶瓷的質(zhì)量和精度就會(huì)受到影響?!?/div>
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特別是隨著光學(xué)元件孔徑的增大,碳化硅光學(xué)元件與支撐結(jié)構(gòu)的一體化設(shè)計(jì)將導(dǎo)致碳化硅光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜,這是采用傳統(tǒng)的陶瓷成型燒結(jié)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)的。

迫切需要開展復(fù)雜形狀碳化硅光學(xué)元件的制造新技術(shù)、新工藝的研究,實(shí)現(xiàn)空間遙感光學(xué)探測(cè)用低面積密度碳化硅光學(xué)結(jié)構(gòu)集成元件的制備。
“碳化硅陶瓷無法直接打印出我們需要的形狀”最近興起的3D打印技術(shù)是一個(gè)從點(diǎn)到線,從線到面再到個(gè)體的制造過程。
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陳健介紹:“目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)通過計(jì)算機(jī)控制做好輔助設(shè)計(jì)來制造,未來可以采用多機(jī)器人聯(lián)動(dòng)的方式結(jié)合起來進(jìn)行制造。智能化、數(shù)字化的制造按照預(yù)先程序設(shè)計(jì),就可以通過打印的方式來制造想要的這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)?!?/div>
碳化硅陶瓷的特點(diǎn)是易氧化、難熔融、高吸光。相對(duì)于塑料或金屬有固定的熔點(diǎn),通過加熱融化后就可以進(jìn)行粘貼,陶瓷特別是氧化物陶瓷熔點(diǎn)非常高,而碳化物陶瓷沒有熔點(diǎn),在高溫條件下會(huì)直接氧化。比如碳化硅會(huì)氧化成二氧化硅,或者是其他的氣體或在激光的作用下直接分解,導(dǎo)致無法直接3D打印,只能打印出一個(gè)素坯再去燒結(jié)。
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陳健說:“我們的突破點(diǎn)主要是在碳化硅陶瓷中加一些含碳的燒結(jié)助劑,便于后期的燒結(jié)致密化。但其更黑更容易吸光,我們避開激光這種方法,而采取擠出工藝。這樣先通過高溫混煉可以得到很高含量的陶瓷材料,再通過這種注射成型的方式來慢慢的疊層打印?!?/div>
“在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用比較火”
“10年前我就想用激光間接燒結(jié)來做?!?/div>
陳健表示,這些方法包括光固化不直接用碳化硅粉體,而是對(duì)碳化硅粉體進(jìn)行改性,然后將改性的物質(zhì)還原為碳化硅,這種方法相對(duì)于我們直接用碳化硅粉加碳粉的打印復(fù)雜一些。

陳健解釋,目前大多數(shù)打印工藝,都是先打印出素坯之后浸漬一遍,再燒結(jié)裂解一遍,然后再浸漬一遍再燒結(jié)裂解一遍,這樣打印的形狀就不能太復(fù)雜了。
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2021年先進(jìn)碳化物課題組學(xué)生畢業(yè)時(shí)與導(dǎo)師合影(部分)

對(duì)比LP-CVD工藝中應(yīng)用的硅和石英材料,碳化硅(SiC)的熱導(dǎo)性、耐蝕性、耐化學(xué)性更好,而且熱膨脹率低,因此可長(zhǎng)時(shí)間使用的化合物材料。高純 SiC 產(chǎn)品在 1200℃以上的高溫下穩(wěn)定,可應(yīng)用在半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝及常壓 CVD, LP-CVD。高韌性的碳化硅也可應(yīng)用在切削工具、彈簧、發(fā)動(dòng)機(jī)零部件等領(lǐng)域。
之前,陳健曾研制航空領(lǐng)域的光學(xué)部件,但用傳統(tǒng)的成型燒結(jié)壓制也是比較費(fèi)時(shí)費(fèi)力。

陳健表示,此次在3D打印碳化硅陶瓷研究中取得新進(jìn)展,后續(xù)他也會(huì)繼續(xù)負(fù)責(zé)應(yīng)用量產(chǎn)階段。今后的重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域是航空航天、半導(dǎo)體,還有核工業(yè)方面。

來源:上海科技
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